AS4C16M16MSA-6BIN

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Herstellerteil

AS4C16M16MSA-6BIN

Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
326
Datenblätter online
AS4C16M16MSA-6BIN PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:DRAM
  • Technologie:SDRAM - Mobile SDRAM
  • Speichergröße:256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:166 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:5.5 ns
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:54-VFBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:54-FBGA (8x8)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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