CY14B104N-BA25XC

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Herstellerteil

CY14B104N-BA25XC

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
40
Datenblätter online
CY14B104N-BA25XC PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:25ns
  • Zugriffszeit:25 ns
  • Spannungsversorgung:2.7V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:48-TFBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:48-FBGA (6x10)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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Produktkategorie

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