TC58NYG1S3HBAI6

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Herstellerteil

TC58NYG1S3HBAI6

Hersteller
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Beschreibung
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
457
Datenblätter online
TC58NYG1S3HBAI6 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:FLASH
  • Technologie:FLASH - NAND (SLC)
  • Speichergröße:2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:25ns
  • Zugriffszeit:25 ns
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:67-VFBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:67-VFBGA (6.5x8)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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Produktkategorie

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