CY14B104LA-ZS45XI

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Herstellerteil

CY14B104LA-ZS45XI

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
NON-VOLATILE SRAM, 512KX8, 45NS
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
374
Datenblätter online
CY14B104LA-ZS45XI PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:45ns
  • Zugriffszeit:45 ns
  • Spannungsversorgung:2.7V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:44-TSOP II
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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