CYD09S36V18-200BBXI

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Herstellerteil

CYD09S36V18-200BBXI

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
49593
Datenblätter online
CYD09S36V18-200BBXI PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Speichergröße:9Mb (256K x 36)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:200 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:3.3 ns
  • Spannungsversorgung:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:256-LBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:256-FBGA (17x17)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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