CY7C2165KV18-550BZC

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Herstellerteil

CY7C2165KV18-550BZC

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
QDR SRAM, 512KX36, 0.45NS, CMOS,
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
318
Datenblätter online
CY7C2165KV18-550BZC PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Speichergröße:18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:550 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:-
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:165-LBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (13x15)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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