DS1270AB-70#

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Herstellerteil

DS1270AB-70#

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
DS1270AB-70# PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:16Mb (2M x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:70ns
  • Zugriffszeit:70 ns
  • Spannungsversorgung:4.75V ~ 5.25V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:36-EDIP
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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