CY7C1360B-200BZC

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Herstellerteil

CY7C1360B-200BZC

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
CACHE SRAM, 256KX36, 3NS
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
702
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße:9Mb (256K x 36)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:200 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:3 ns
  • Spannungsversorgung:3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:165-LBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (13x15)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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Produktkategorie

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