VS-FB190SA10

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Herstellerteil

VS-FB190SA10

Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
48000
Datenblätter online
VS-FB190SA10 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:190A (Tj)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:6.5mOhm @ 180A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.35V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:250 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10700 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):568W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-227
  • Paket / Koffer:SOT-227-4, miniBLOC
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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