Name: NVMFS6B85NLT1G
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: NVMFS6B85NLT1G
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: NVMFS6B85NLT1G

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 452581

Datenblätter online: NVMFS6B85NLT1G PDF

NVMFS6B85NLT1G Notiz

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Serie:Automotive, AEC-Q101
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:5.6A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:46mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7.9 nC @ 10 V
vgs (max):±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:480 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer:8-PowerTDFN, 5 Leads

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