Name: PHW80NQ10T,127
Brand: NXP Semiconductors
SKU: PHW80NQ10T,127
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: PHW80NQ10T,127

Hersteller: NXP Semiconductors

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: PHW80NQ10T,127 PDF

PHW80NQ10T,127 Notiz

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Serie:TrenchMOS™
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:15mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:109 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4720 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):263W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
Paket / Koffer:TO-247-3

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