Name: BSP135 E6327
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSP135 E6327
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: BSP135 E6327

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 60000

Datenblätter online: BSP135 E6327 PDF

BSP135 E6327 Notiz

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Serie:SIPMOS®
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:120mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):0V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 94µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4.9 nC @ 5 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:146 pF @ 25 V
fet-Funktion:Depletion Mode
Verlustleistung (max.):1.8W (Ta)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT223-4
Paket / Koffer:TO-261-4, TO-261AA

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