Name: 2N7635-GA
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 2N7635-GA
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: 2N7635-GA

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

Beschreibung: TRANS SJT 650V 4A TO257

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: 2N7635-GA PDF

2N7635-GA Notiz

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Serie:-
Paket:Bulk
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:-
Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4A (Tc) (165°C)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
rds auf (max) @ id, vgs:415mOhm @ 4A
vgs(th) (max) @ id:-

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:324 pF @ 35 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):47W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-257
Paket / Koffer:TO-257-3

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