IRL630A

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Herstellerteil

IRL630A

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
100000
Datenblätter online
IRL630A PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:9A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:400mOhm @ 4.5A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 5 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:755 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):69W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3
  • Paket / Koffer:TO-220-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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