Name: FDD107AN06LA0
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDD107AN06LA0
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FDD107AN06LA0

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: FDD107AN06LA0 PDF

FDD107AN06LA0 Notiz

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Serie:PowerTrench®
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:91mOhm @ 10.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:5.5 nC @ 5 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:360 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):25W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-252AA
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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