Name: FQI27P06TU
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQI27P06TU
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FQI27P06TU

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: FQI27P06TU PDF

FQI27P06TU Notiz

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Serie:QFET®
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:P-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:27A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:70mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 10 V
vgs (max):±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.75W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:I2PAK
Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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