SIR838DP-T1-GE3

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Herstellerteil

SIR838DP-T1-GE3

Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
7371
Datenblätter online
SIR838DP-T1-GE3 PDF
Anfrage
  • Serie:TrenchFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):150 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:35A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:33mOhm @ 8.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2075 pF @ 75 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):5.4W (Ta), 96W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8
  • Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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