NVMFS6B03NT1G

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Herstellerteil

NVMFS6B03NT1G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 132A 5DFN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
NVMFS6B03NT1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:145A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:4.8mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:58 nC @ 10 V
  • vgs (max):±16V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4200 pF @ 50 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):3.9W (Ta), 198W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Koffer:8-PowerTDFN
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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