APT45GR65BSCD10

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Herstellerteil

APT45GR65BSCD10

Hersteller
Microsemi
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:NPT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):118 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):224 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 45A
  • Leistung max:543 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:203 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:15ns/100ns
  • Testbedingung:433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):80 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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