Name: GT60N321(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT60N321(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: GT60N321(Q)

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: GT60N321(Q) PDF

GT60N321(Q) Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1000 V
Strom - Kollektor (ic) (max):60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 60A
Leistung max:170 W
Schaltenergie:-

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:-
td (ein/aus) bei 25 °c:330ns/700ns
Testbedingung:-
Rückwärtserholzeit (trr):2.5 µs
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-3PL
Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P(LH)

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