GPA015A120MN-ND

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Herstellerteil

GPA015A120MN-ND

Hersteller
SemiQ
Beschreibung
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
GPA015A120MN-ND PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:NPT and Trench
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):30 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):45 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 15A
  • Leistung max:212 W
  • Schaltenergie:1.61mJ (on), 530µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:210 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:25ns/166ns
  • Testbedingung:600V, 15A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):320 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PN
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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