Name: GT10J312(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT10J312(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: GT10J312(Q)

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: GT10J312(Q) PDF

GT10J312(Q) Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):10 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):20 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
Leistung max:60 W
Schaltenergie:-

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:-
td (ein/aus) bei 25 °c:400ns/400ns
Testbedingung:300V, 10A, 100Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):200 ns
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SM

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