Name: GT10G131(TE12L,Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT10G131(TE12L,Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: GT10G131(TE12L,Q)

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: IGBT 400V 1W 8-SOIC

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: GT10G131(TE12L,Q) PDF

GT10G131(TE12L,Q) Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Obsolete
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):400 V
Strom - Kollektor (ic) (max):-
Strom - Kollektor gepulst (icm):200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 4V, 200A
Leistung max:1 W
Schaltenergie:-

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:-
td (ein/aus) bei 25 °c:3.1µs/2µs
Testbedingung:-
Rückwärtserholzeit (trr):-
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:8-SOP (5.5x6.0)

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