Name: GPA030A135MN-FDR
Brand: SemiQ
SKU: GPA030A135MN-FDR
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: GPA030A135MN-FDR

Hersteller: SemiQ

Beschreibung: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: GPA030A135MN-FDR PDF

GPA030A135MN-FDR Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
igbt-Typ:Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1350 V
Strom - Kollektor (ic) (max):60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 30A
Leistung max:329 W
Schaltenergie:4.4mJ (on), 1.18mJ (off)

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:300 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:30ns/145ns
Testbedingung:600V, 30A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):450 ns
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PN

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