NESG2107M33-A

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Herstellerteil

NESG2107M33-A

Hersteller
CEL (California Eastern Laboratories)
Beschreibung
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
NESG2107M33-A PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):5V
  • Frequenz - Übergang:10GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
  • gewinnen:7dB ~ 10dB
  • Leistung max:130mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:140 @ 5mA, 1V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:3-SMD, Flat Lead
  • Gerätepaket des Lieferanten:3-SuperMiniMold (M33)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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