PMBFJ110,215

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Herstellerteil

PMBFJ110,215

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
PMBFJ110 - N-CHANNEL FET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - JFETs
Serie
-
Auf Lager
2500
Datenblätter online
PMBFJ110,215 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Spannung - Durchbruch (v(br)gss):25 V
  • Drain-Source-Spannung (vdss):25 V
  • Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):10 mA @ 15 V
  • Stromaufnahme (id) - max:-
  • Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:4 V @ 1 µA
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:30pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - rds(on):18 Ohms
  • Leistung max:250 mW
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23 (TO-236AB)
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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