APTM10TDUM09PG

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Herstellerteil

APTM10TDUM09PG

Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
APTM10TDUM09PG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:139A
  • rds auf (max) @ id, vgs:10mOhm @ 69.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 2.5mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:350nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9875pF @ 25V
  • Leistung max:390W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SP6
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP6-P
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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