APTMC120AM55CT1AG

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Herstellerteil

APTMC120AM55CT1AG

Hersteller
Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
APTMC120AM55CT1AG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:55A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:49mOhm @ 40A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 2mA (Typ)
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:98nC @ 20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1900pF @ 1000V
  • Leistung max:250W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SP1
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP1
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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