19MT050XF

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Herstellerteil

19MT050XF

Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
19MT050XF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:4 N-Channel (H-Bridge)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):500V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:31A
  • rds auf (max) @ id, vgs:220mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:6V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:160nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:7210pF @ 25V
  • Leistung max:1140W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:16-MTP Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:16-MTP
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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