FDMA2002NZ_F130

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Herstellerteil

FDMA2002NZ_F130

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:PowerTrench®
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:2.9A
  • rds auf (max) @ id, vgs:123mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:220pF @ 15V
  • Leistung max:650mW
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-VDFN Exposed Pad
  • Gerätepaket des Lieferanten:6-MicroFET (2x2)
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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