PDTB113ZS,126

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Herstellerteil

PDTB113ZS,126

Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
PDTB113ZS,126 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Box (TB)
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):500 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):1 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 50mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:-
  • Leistung max:500 mW
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-92-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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