PBRN123EK,115

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Herstellerteil

PBRN123EK,115

Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
PBRN123EK,115 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):600 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):40 V
  • Widerstand - Basis (r1):2.2 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):2.2 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:280 @ 300mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:1.15V @ 8mA, 800mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:-
  • Leistung max:250 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SMT3; MPAK
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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