APTGT50A60T1G

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Herstellerteil

APTGT50A60T1G

Hersteller
Microsemi
Beschreibung
IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
APTGT50A60T1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):80 A
  • Leistung max:176 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):250 µA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:3.15 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SP1
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP1
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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