VS-GT100TP120N

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Herstellerteil

VS-GT100TP120N

Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
VS-GT100TP120N PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:Trench
  • Aufbau:Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):180 A
  • Leistung max:652 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):5 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:12.8 nF @ 30 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:INT-A-PAK (3 + 4)
  • Gerätepaket des Lieferanten:INT-A-PAK
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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