STG3P2M10N60B

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Herstellerteil

STG3P2M10N60B

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
STG3P2M10N60B PDF
Anfrage
  • Serie:SEMITOP®
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):19 A
  • Leistung max:56 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 7A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):10 µA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:0.72 nF @ 25 V
  • Eingang:Single Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SEMITOP®2
  • Gerätepaket des Lieferanten:SEMITOP®2
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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