VS-GB100TP120U

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Herstellerteil

VS-GB100TP120U

Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):150 A
  • Leistung max:735 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):2 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:4.3 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:INT-A-Pak
  • Gerätepaket des Lieferanten:INT-A-PAK
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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