GB100XCP12-227

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Herstellerteil

GB100XCP12-227

Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
GB100XCP12-227 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:PT
  • Aufbau:Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 A
  • Leistung max:-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):1 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:8.55 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SOT-227-4
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-227
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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