APTGT75A170D1G

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Herstellerteil

APTGT75A170D1G

Hersteller
Microsemi
Beschreibung
IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1700 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):120 A
  • Leistung max:520 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):5 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:6.5 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:D1
  • Gerätepaket des Lieferanten:D1
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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