MT41K512M8RH-125 V:E

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Herstellerteil

MT41K512M8RH-125 V:E

Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
MT41K512M8RH-125 V:E PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:DRAM
  • Technologie:SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße:4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:800 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:13.75 ns
  • Spannungsversorgung:1.283V ~ 1.45V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:78-TFBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:78-FBGA (9x10.5)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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