Name: 70V3579S4DR
Brand: Renesas Electronics America
SKU: 70V3579S4DR
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: 70V3579S4DR

Hersteller: Renesas Electronics America

Beschreibung: IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP

Kategorie: integrierte Schaltkreise

Familie: Erinnerung

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: 70V3579S4DR PDF

70V3579S4DR Notiz

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Serie:-
Paket:Tray
Teilstatus:Obsolete
Speichertyp:Volatile
Speicherformat:SRAM
Technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße:1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle:Parallel

Taktfrequenz:-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
Zugriffszeit:4.2 ns
Spannungsversorgung:3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:208-BFQFP
Gerätepaket des Lieferanten:208-PQFP (28x28)

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Rückgabe / Garantie	Garantie	Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert. Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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