MT47H512M4EB-25E:C

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Herstellerteil

MT47H512M4EB-25E:C

Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
MT47H512M4EB-25E:C PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:DRAM
  • Technologie:SDRAM - DDR2
  • Speichergröße:2Gb (512M x 4)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:400 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:15ns
  • Zugriffszeit:400 ps
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:60-TFBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:60-FBGA (9x11.5)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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