MMBT5551LT1G

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Herstellerteil

MMBT5551LT1G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Serie
-
Auf Lager
49
Datenblätter online
MMBT5551LT1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Strom - Kollektor (ic) (max):600 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):160 V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:200mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
  • Leistung max:225 mW
  • Frequenz - Übergang:-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3 (TO-236)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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