VT6T11T2R

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Herstellerteil

VT6T11T2R

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Serie
-
Auf Lager
8000
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):200mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):20V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 2V
  • Leistung max:150mW
  • Frequenz - Übergang:350MHz
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-SMD, Flat Leads
  • Gerätepaket des Lieferanten:VMT6
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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