FDB38N30U

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Herstellerteil

FDB38N30U

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1956
Datenblätter online
FDB38N30U PDF
Anfrage
  • Serie:UniFET™
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):300 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:38A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:120mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3340 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):313W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:D²PAK
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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