Name: BSC014N03MSGATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: BSC014N03MSGATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: BSC014N03MSGATMA1

Hersteller: Rochester Electronics

Beschreibung: PFET, 30A I(D), 30V, 0.00175OHM,

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 9161

Datenblätter online: BSC014N03MSGATMA1 PDF

BSC014N03MSGATMA1 Notiz

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Serie:OptiMOS™
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:30A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:173 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:13 pF @ 15 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.5W (Ta), 139W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer:8-PowerTDFN

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