IRF5305STRRPBF

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Herstellerteil

IRF5305STRRPBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
IRF5305STRRPBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:31A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:60mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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