Name: SIHD6N65ET4-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHD6N65ET4-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: SIHD6N65ET4-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: SIHD6N65ET4-GE3 PDF

SIHD6N65ET4-GE3 Notiz

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Serie:E
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:7A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:820 pF @ 100 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):78W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-252AA
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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