Name: IPD80R2K8CEATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD80R2K8CEATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: IPD80R2K8CEATMA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: IPD80R2K8CEATMA1 PDF

IPD80R2K8CEATMA1 Notiz

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Serie:CoolMOS™ CE
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1.9A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 120µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 100 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):42W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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