NVB5860NLT4G

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Herstellerteil

NVB5860NLT4G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
4040
Datenblätter online
NVB5860NLT4G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:220A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:220 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:13.216 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):283W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK-3
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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