STD5N65M6

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Herstellerteil

STD5N65M6

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V DPAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:*
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:-
  • Technologie:-
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:-
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
  • rds auf (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):-
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:-
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
  • Paket / Koffer:-
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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